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英飞凌与南亚科技向90纳米DRAM过渡 已量产


http://www.sina.com.cn 2005年06月07日 18:18 eNet硅谷动力

  作者: 英宁

  【eNet硅谷动力消息】欧洲最大的芯片生产商英飞凌日前宣布,与台湾南亚科技的合资公司华亚半导体开始向90纳米DRAM生产过渡,而且英飞凌已经有5%的DRAM全球产量转为90纳米工艺。

  与先前的110纳米工艺相比,90纳米工艺进一步缩小了芯片尺寸,从而使每片晶圆的芯片产量可以增加30%以上。缩小芯片尺寸和使用300mm晶圆实现的生产率提高是芯片生产成本大幅下降的基础。英飞凌和南亚科技的联合开发还包括下一代70纳米制程技术。随着第一件产品512Mb DDR SDRAM通过客户认证,英飞凌和南亚科技据称成为业界第二家采用90纳米技术生产DRAM的制造商。

  由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可,并通过了英特尔的验证,目前90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商,英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。

  英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采用新一代技术将大幅降低生产成本,提高产品性能,同时也是提高DRAM生产盈利能力的最重要因素之一。 90纳米工艺结构的推出在很大程度上得益于110纳米时代先进的193纳米光刻技术。193纳米光刻技术是缩小工艺结构不可或缺的因素。通过引进所谓的棋盘单元阵列, 只要利用标准的表面增强方法,而不需要运用复杂的高K电介质,就可以实现卓越的存储容量。

  除了成本优势之外,采用更小的工艺结构是生产用于移动世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的关键。512Mb DDR2 SDRAM相关系列产品预计在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2和1G DDR2在内的其他产品将在稍后推出。



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