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三星采用70纳米工艺开始生产4GbNAND闪存


http://www.sina.com.cn 2005年06月07日 18:02 eNet硅谷动力

  作者: 英宁

  【eNet硅谷动力消息】韩国三星电子日前表示,它已开始采用70纳米制造工艺批量生产4Gb NAND闪存。 三星的4Gb NAND闪存是2003年9月开发出来的,但转而采用70纳米工艺,使三星能够生产出业内尺寸最小的存储单元。

  这将使三星的70纳米4Gb NAND闪存的数据写入速度可达16MB/s,比90纳米2Gb芯片提高50%,可以支持高清视频图像的实时数据存储。此外,三星还宣布,新建的300mm晶圆生产线产出了第一个晶圆,比计划提前一个月。三星的Line 14初期将每月生产4,000个晶圆,到2005年底将提高到15,000个。Line 14生产70纳米4Gb NAND和90纳米2Gb NAND。



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