全球逾20座半导体新厂展开装机

　　根据港台媒体报道，半导体市调机构Strategic Marketing Associates(SMA)最新报告提出警告，2005年上半全球逾20座新建晶圆厂展开装机操作，未来陆续经过试产、验证、导入量产阶段后，恐导致2006年全球半导体产能过剩危机，其中尤以DRAM产业最为严重。

　　SMA总裁George Burns指出，自2003年下半全球半导体景气确定回暖后，半导体厂商陆续提高资本支出，展开新一波兴建晶圆厂风潮，不仅带动2004年全球半导体设备市场高度 增长，以兴建速度而言，目前这些新建晶圆厂均纷纷进入装机阶段，例如超微(AMD)德勒斯登12寸厂Fab 36、中芯北京12寸厂Fab 4、特许(Chartered)最新12寸厂Fab 7等。

　　Burns表示，由于这些新建晶圆厂陆续将在2005年下半到2006年上半进入量产阶段，产能过剩危机浮现，恐怕会让部份厂商难以支撑，尤其是以市况变化迅速的DRAM厂商，来得最为严重。

　　Burns指出，韩厂三星(Samsung)持续在景气低迷之际，斥资投入12寸厂建设，以先进制程导入内存生产，包括DRAM与闪存(Flash)等，均占有极高的成本优势，三星若实施降价策略，其动见观瞻均会影响全球市场甚钜。

　　此外，亚太地区可说是DRAM产业大本营，也是晶圆代工产能重镇，光是2005年亚太地区半导体厂商资本支出，便占全球一半，台湾地区与韩国新一波DRAM产能即将陆续开出，尽管理论上厂商可延后投产进程，但实际上，抢得先机也是半导体产业成功之道，只要终端市场需求迟迟未现，产能过剩危机便无法解除。

　　不过，台湾地区多数DRAM晶圆厂对于这样的说法提出质疑，认为就算2006年DRAM产业景气无法像2004年那样好，但也不至于太差，因为到2006年多数DRAM厂将开始采用90纳米制程，但到目前为止，除三星在90纳米制程良率比佳外，多数DRAM厂在90纳米良率上仍处于摸索期，这将使得DRAM总产出量因转换至90纳米制程而减少许多。

　　此外，自2005年下半起陆续有8寸厂因产出成本效益不如12寸厂，被迫退出量产标准型DRAM，而到2006年更是8寸厂大撤退的时间点，如此一来这些8寸厂因无法量产512Mb DDRII而需退出所造成的总产能丧失，将使得2006年DRAM产业应不会过于悲观。

　　至于晶圆代工方面，尽管2005年上半景气欠佳，除台积电外，其他晶圆代工厂商全数亏损，然因看好2010年前全球晶圆代工产值增长率，可望高于整体半导体产值增长率，计划投入晶圆代工市场的厂商家数有增无减。

　　不过，包括台积电及联电均对于2006年景气持乐观看法，强调应比2005年来得好，对于2006年景气看法明显不悲观。此外，瑞萨科技社长兼CEO伊藤达12日则表示，目前半导体景气尚处于调整阶段，市况仍相当严峻，虽然夏季前可能会触底反弹，然反弹速度缓慢。