飞利浦找到新型存储材料 能耗更低速度更快 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
http://www.sina.com.cn 2005年03月18日 12:01 太平洋电脑网 | |||||||||
作者:beyoelf 路透社消息:飞利浦电子日前宣布研究人员已经找到一种新的存储材料,利用这种材料只用很少电路资源就能够集成出高性能的存储器。 据介绍,这种新材料只需要很小的电压就能够完成开关状态的切换。因此,采用这
这种材料类似现在的闪存,掉电后仍能够保存数据。但芯片的性能和体积将优胜于闪存。 研究人员预测,新材料能够满足2007年或2008年后的片上系统对存储器的要求。届时,这种芯片的工艺制程能够达到50纳米,现在业界主流制程还是90纳米。 这种材料是半导体合金,名为“锑”。只要有电流通过,电路开关就转换一次状态,直到下次又有电路通过时再切换状态。这种电平状态能够转换的材料已经运用在可读写的CD 和 DVD碟上。新材料的另外一个好处是生产制造成本低。 飞利浦可升级存储标准工程项目主管Karen Attenborough说“低成本和高速开关切换的优势或许能够让这种材料成为单一存储器片结构的标准,因为它融合了SRAM的速度、DRAM的存储密度和闪存的低电压等优点。”
|