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中芯国际实现DRAM技术突破 明年将继续扩张


http://www.sina.com.cn 2005年03月17日 13:35 太平洋电脑网

  作者:plainsman

  中芯国际在最近宣布该公司的北京工厂已经在300毫米晶圆的纳米制造工艺方面实现了突破。

  据介绍,中芯在去年12月分别与德国英飞凌和日本Elpida签订了DRAM芯片生产协议
。但是今年2月该协议在执行过程中却遇到一些问题。原来英飞凌和Elpida分别要求使用110纳米和100纳米的制造工艺,而中芯却发现很难找到一种通用的工具集来同时满足两方面的要求。

  这个技术难题曾使得Elpida一度对中芯北京工厂的技术实力产生了怀疑,为了不耽误时间它甚至曾在暗中联络过台湾力晶半导体。

  中芯首席运营官Marco Mora在本周二参加上海的一次行业会议时也承认他们在从140纳米工艺转向110纳米和100纳米的过程中遇到了困难,不过他表示中芯已经克服了这一难题,该公司在北京的工厂将很快可以按照协议生产芯片。

  Marco还介绍说中芯计划从2005年第三季度开始在北京工厂使用90纳米工艺来生产芯片。另外该公司还会在天津工厂增加一条200毫米晶圆的生产线,这将使中芯的月平均晶圆产量达到15000片。

  他最后还补充说中芯在明年将会继续扩张,并将增加高端产品的产量。



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