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NEC东芝开发MRAM新型内存 2010年取代闪存


http://www.sina.com.cn 2004年12月16日 09:33 赛迪网

  作者:刘彦青 

  【赛迪网讯】12月16日消息,NEC和东芝宣布,它们已经在开发新型内存技术方面取得了两项进展。这些新型内存将能够替换应用在手机、MP3播放机和其它便携式电子设备中使用的标准内存。

  由于掉电后存储的信息也不会丢失,闪存主要用于便携式设备和内存卡中。包括NEC、东芝在内的数家公司正在开发一种被称为MRAM的新型内存。据支持者称,掉电后,MRAM也能够保存数据,而且与闪存相比,它读取数据的速度更快,工作时间更长,生产成本也更低。MRAM最早可能在2010年取代闪存和DRAM,但首先需要解决一些技术性问题。

  一个问题是MRAM存储单元的大小,它通常比其它类型内存的存储单元要大。较大的存储单元会导致较高的生产成本,在写数据时也需要更多的能量。开发人员还必须确定如何控制存储单元中的磁性区域,避免各磁性区域相互干扰而产生错误。由于这些原因,目前MRAM芯片的存储容量只能达到16MB,而闪存芯片的存储容量已达到了GB。

  NEC和东芝已经开发了二项技术,使MRAM芯片能够存储更多的数据,降低能耗。这些技术使它们能够在2006年生产出存储容量达到256MB的MRAM芯片。一项技术是一种新存储单元设计,能够将写数据的能耗降低一半,并降低了出错的可能性,它们还开发了与目前二种基本的MRAM单元设计不同的设计。

  东芝公司的发言人Makoto Yasuda表示,尽管已经取得了这些进展,东芝公司并没有制订商业化生产MRAM芯片的计划。

  IDC公司负责半导体业务的主管Kim Soo-Kyoum表示,MRAM有一天可以使用在目前使用闪存或其它种类内存的设备中,但是,其较小的存储容量和未来的开发意味着MRAM要取得其它种类的内存还需要更长的时间。他说,MRAM还处于萌芽期,它的未来还不确定。(n106)



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