台积电签约飞思卡尔 开发65纳米SOI制程技术 | ||||||||
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| http://www.sina.com.cn 2004年10月13日 09:01 赛迪网 | ||||||||
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【赛迪网讯】10月12日路透消息,台积电周二表示,已与美商飞思卡尔半导体(FreescaleSemiconductor)签订合约,双方将共同发展新一代的绝缘层上覆矽(SOI)高效能芯片前段技术,并以开发65纳米的互补金氧半导体(CMOS)制程技术为目标。在这项合约中,同时包含了飞思卡尔将其90纳米SOI技术授权给台积电用于制造产品。 台积电表示,通过此项合作计划,双方将共同开发65纳米SOI制程的前段技术,可加
台积电将以其设于台湾的12英寸晶圆厂提供制造服务,用以生产快速、高效能的网络传输与运算等相关产品。此外,台积电也将开发低耗电的制程,以提供移动式应用产品更多的选择。飞思卡尔则计划将此项技术转移到该公司与飞利浦及意法半导体所合作的法国Crolles2研发及生产基地。 台积电称,SOI制程技术,可使芯片运作的速度比单纯的只采用传统半导体更快,尤其适合应用于更高速度以及兼具省电要求的产品。 飞思卡尔是从摩托罗拉半导体部门分拆上市,主要生产用于汽车和网络应用的芯片,以及用于手机的芯片组,其面临的主要竞争对手为英特尔和德州仪器。飞思卡尔芯片产品的80%由公司自行生产,其余则委托台积电和中芯国际等代工生产。 作者:肖北 |
