ChinaByte 2月23日特稿 经历了闪存业务的磕磕绊绊之后，全球最大的处理器制造商Intel目前又重整旗鼓，欲将其丢失的闪存市场份额从三星、东芝，以及富士通-AMD合资工厂的手中再次夺回。

　　目前，Intel正在实施一系列计划，旨在扩大其闪存市场份额并重新成为该市场的头号供应商。为此，公司已经对其管理队伍进行了重整，并推出了一个新产品线，欲实现200 4年闪存产量翻三番的宏伟目标。

　　以产品方面为例，Intel上周四推出了全球第一款基于NOR(或非)的闪存产品，并采用90纳米制造工艺。除了闪存产量翻番外，Intel还计划进一步扩大其市场份额。因此，Intel闪存部门新上任的行销主管Peter Van Deventer表示，为赢得更多的闪存市场份额，公司预计2006年的闪存产量将增加到目前的10倍。

　　Intel所采取的这些行动目的只有一个，那就是重新成为闪存市场的领军人物。Deventer还表示：“我们已经获得重返闪存市场的充足资金，我们有信心重新成为该市场的最大供应商。如果Intel不是第一，我们会感到不满意的。”

　　业内分析家认为，Intel有能力咸鱼翻身并重新夺回市场。事实上，Intel在闪存市场的麻烦始于一年前或更早。当时，闪存市场低迷，Intel采取了提高价格的措施来应对，但无巧不成书，此举致反而使公司大量客户转投他家。据调研机构iSuppli提供的数据显示，2002年，Intel的闪存市场份额位居全球第一(26.%)，而2003年却滑到了第四(15%)，落后于三星、AMD-富士通合资工厂，以及东芝公司。

　　为此，公司于去年12月份对其业务部门进行了重整，将与通信相关的部门重组为单一的Intel通信集团(ICG)。而此次进行的重新调整，是由该部门新负责人Sean Maloney进行的又一次重大调整。

　　凭90纳米抢得先机

　　重组后的Intel闪存管理团队的目标似乎更明晰，采取的“圈地”措施也似乎更具侵略性。那就是划定地盘，然后一块一块征服。首先在产品方面，Intel新近推出了全球第一款基于NOR(或非)的闪存产品。该款无线闪存是针对于无线手持设备而设计，采用90纳米制造工艺。

　　在一次主题演讲中，Intel通信部门执行副总裁Sean Maloney表示，与此前的闪存产品相比，基于90纳米技术的闪存产品的体积要减小50%。而公司闪存产品部门副总裁Tom Lacey也称：“目前，Intel的无线闪存解决方案是全球性能最高的无线应用方案。它具有四个创新性特征：1.8伏低压运行、直接执行代码、完善的制造程序，以及对偶码和数据双存储。”

　　据悉，Intel的该款闪存产品将于今年四月份正式上市，计划于第三季度开始批量生产。其容量为64M，建议价格为10.26美元(万片批发价)。另外，Intel的MLC StrataFlash无线闪存也将于今年采用90纳米制造工艺，该款产品的容量将分别达到256M和512M。

　　以产量压制对手

　　据Van Deventer透露，在未来一段时间内，除了继续使用传统的MLC技术，Intel将大力推广基于NOR技术的闪存产品。而对于NAND(与非)技术，Deventer认为，尽管目前NAND技术颇为流行，但该技术基于陈旧技术，因此Intel将不会进入该市场。

　　另外，由于市场对NOR的需求与日俱增，再加上Intel收复失地的坚定决心，公司将进一步增加闪存产量。此举的矛头直指目前市场上领先的闪存制造商，如三星、AMD/富士通、现代、东芝、Infineon及ST。目前，这些闪存制造商均在马不停蹄地实施增产。

　　据Intel公司一位发言人透露，公司预计2004年的闪存产量将翻三番，而2005年和2006年将分别在此前的基础上再翻一番。目前，Intel的闪存工厂主要设在美国科罗拉多州、加州、新墨西哥州、以色列及爱尔兰。而90纳米工厂设在加利福尼亚州的圣克拉拉和新墨西哥州的奥兰珠市。

　　对于Intel的“豪情壮举”，业内分析家还是持肯定态度的。并认为，Intel重新赢得市场的机会比较大。Intel可以在处理器市场一统天下，可以在Wi-Fi领域一支独秀，也可以在家庭多媒体领域引领潮流，那么究竟能够重新夺回失去不久的闪存市场呢？让我们静观其变！