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威盛公布DDR SDRAM下一代芯片组结构

http://www.sina.com.cn 2000/08/10 13:00 日经BP社


  台湾威盛电子(VIA Technologies)于8月7日,公布了面向个人电脑的下一代芯片组框架“HDIT(High-Bandwidth Differential Interconnect)”。该框架对应Double Data Rate SDRAM(DDR SDRAM),适用于"VIA Apollo"系列产品。

  为了达到不仅可以用于个人电脑,而且“该芯片组结构将具有可用于服务器以及工作站的扩展性”(威盛公司),除了对应多处理器外,还准备了被称为HDIT的高速数据传输模式。

  对应HDIT的下一代芯片组由HDIT North Bridge(NB)芯片和HDIT South Bridge(SB)芯片构成。这两个芯片之间通过被称为V-Link的512MB/s的总线连接。V-Link的时钟频率为66MHz或者133MHz。

  威盛计划从2001年上半年开始供应该芯片组的工业样品。该芯片组可以与美国Intel或者美国Advanced Micro Devices(AMD)的微处理器组合使用。

  HDIT North Bridge配备了对应DDR266的DDR SDRAM接口以及对应AGP 4X的端口。如使用被称为HDIT的工作模式,可以将内存总线带宽扩展到4.2GB/s。此时的数据总线宽度为128bit。此外还可以连接最多4个微处理器。在框架标准上,HDIT North Bridge和AGP端口以及I/O端口之间的数据传输速度最高可扩展到2.1GB/s。并且准备了用来与HDIT North Bridge连接使用的PCI-X LSI。

  HDIT South Bridge内置ATA-100的EIDE控制器及PCI控制器。配备6个USB端口及66MHz的LPC(low pin count)总线,对应音频端口。(BizIT)



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