富士通公司上市了能同时进行读、写及删除作业的64Mb NOR型Flash EEPROM“MBM29DL640E”。该产品是与美国Advanced Micro Devices, Inc.共同开发的。到目前为止该公司已经推出了4M/8M/16M/32Mb产品。本次针对手机对大容量的要求，开发了64Mb产品。顺便说一句，许多人认为32Mb～64Mb产品将成为2000年的主流。

　　MBM29DL640E的语构成分为4M语×16bit。另外还具有8M语×8bit的产品。它由4个存储体构成，分为8Mb、24Mb、24Mb和8Mb。从指定地址到输出数据所需时间(接入时间)最大为80ns。保证数据改写次数10万次以上。耗电量在读取数据时最大为18mA，写入和删除数据时最大为35mA。待机时能减少到标准1μA。

　　电源电压为＋2.7V～＋3.6V。还备有电压为＋2.3V～＋2.7V的产品“MBM29DD640E”。访问时间最长为100 ns。每个品种都有48针的塑料TSOP封装和64管脚FBGA封装的产品。TSOP品的样品价格为5000日元。(Nikkei Electronics)