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http://tech.sina.com.cn 2001年04月18日 中国电脑教育报 CCE 美国加州圣·马特的内存模块制造商Kentron公司计划推出一种通过传统的场效应管(FET)将目前的DDR内存带宽大幅度提升的技术。 在1月23～24日加州圣·乔治召开的PlatformConference上，Kentron展示了这种新的QuadBandRate内存(简称QBM)技术。QBM技术可以将目前DDR内存在100MHz(有效工作频率200MHz)频率下能达到的1.6GB／s带宽提升到3.2GB／s。Kentron公司还声称，QBM技术在其他形式的DDR内存中也能发挥同样的作用。 QBM技术初步形成于去年，在发布会上展示的是最初的样品，而整体的技术细节将在今年第一季度得到完善。 Kentron主要的目标是服务器市场，目前在这一领域，DDR内存得到了大力地推动。而显卡制造业、电信市场、个人消费市场也是QBM技术潜在的市场范围。如果得到芯片制造行业的认可，QBM技术将有可能实际应用在今年年底的计算机系统中。 什么是QBM？ 所谓“是骡子是马，拉出来遛遛。”要想得到大家的认可，除了有理论还要有实际来证明。在发布会上，Kentron展示了一套通过QBM技术将200MHzDDR内存提升到400MHz的内存子系统，此时的内存带宽为3.2GB／s。 采用QBM技术的内存模组由两个DDR模块构成，其一按照正常的速度工作，另一则延迟四分之一周期，每一模块连接一个场效应管。场效应管在此充当开关缓冲的作用，在它的作用下，时钟周期错开的模块在一个10ns的周期内共同提供4bits的数据吞吐量。而普通的DDR内存在同样一个周期内能实现的吞吐量是2bits，标准的SDRAM只能实现1bits。 Rambus在此之前已经展示了他们同样能在一个周期达到4bits吞吐量的QuadRambus技术，但在技术根本上和QBM是大相径庭的。Rambus应用了芯片接口技术来分离工作电压，4bits数据分别通过4种电压不同的电平信号在同一个周期内传输；而QBM技术依靠的是外部缓冲开关机制来实现在四分之一个周期内传输1bits的数据。从表面上看，Kentron的方案比Rambus实现方法要简单得多，这意味着可能存在的成本优势。 QBM的价值 PlatformConference的组织者之一，分析家BertMcComas认为应用了QBM技术的DDR内存将改变目前Pentium4处理器捆绑DRDRAM的局面：“200MHz的DDR内存是最好的解决方案，它的技术成熟，而且和Pentium4的前端总线一致。通过QBM技术，最慢的DDR内存也能实现3.2GB／s的带宽。否则，达到同样的标准我们需要128位的DDR或者是双通道的DRDRAM。” 针对内存模块能否按设计要求实际工作在如此苛刻的时钟周期安排下的质疑，McComas认为可以通过采用比系统实际频率更高的内存颗粒来实现，将266MHz的DDR内存颗粒强制运行在200MHzCLΚ2的情况下就是一种可能的方法。 除了可以实现更高速度的数据传输，场效应管还可以减轻系统的电容负载。电容负载问题在很大程度上束缚了总线速度和存储密度的提升。 “QBM同样可以支持128位的内存总线，所以也可以用来将目前SyncFlash闪存的数据传输率成倍提高。”Goodman，Kentron公司的首席执行官这样承诺。 QBM的前景 目前QBM技术还没有得到内存厂商的公开支持，但是Goodman声称合作正在商洽中，包括DDR内存的倡导者，最大的非Intel阵营芯片组制造商威盛电子，以及正在将DDR内存作为显示存储器的显卡霸主nVIDIA公司。 Goodman希望内存厂商能看重QBM技术性能优异、价格平实的特点。应用QBM技术不用对现有DDR内存的时钟周期规范作更改；广泛应用在开关电路中的场效应管的价格也不过1美元／片；只有1／4的内存模组工作的游离的时钟周期降低了电容负荷。 “这只是一种演化的进步”Goodman这样说，“所有的东西都是现成的。”(编译粉笔) 编者注：QBM不属于DDR2标准的范畴，它本质是一种内存子系统的形式。DDR2标准可能要到2002年以后才能确定，目前备选的方案有基于ESDRAM的缓冲式DDR以及基于VCM的虚通道DDR方案。 QDM与2000年中提出的QDR(QuadDataRate)技术也是完全不同的东西。后者只是在DDR技术的基础上提供独立的读、写端口而使I／O部分接口宽度提高一倍，从而达到4倍的效果。QDR目前还只应用在SRAM上，但下代DDR规范也可能会利用到该技术。 |
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