Intermag是有关磁记录的最大规模的国际会议。21世纪的首届Intermag将于2001年1月7日开幕，此次会议将与国际会议MMM共同举办，会议名称为“The 8th Joint MMM-Intermag Conference”。在本次会议的开幕式上，IBM的前Fellow，David A. Thompson将做题为“The Future of Magnetic Recording for Data Storage”的讲演。

　　关于讲演概要，在Thompson写给参加2000年10月份举行的垂直磁记录国际会议“The Fifth Perpendicular Magnetic Recording Conference 2000(PMRC 2000)”代表的信上可以略见一斑。在信的开头，他首先对于未能出席该会议表示歉意，在谈到美国磁记录研究现状时他表示，“多数大学以及NSIC(National Storage Industry Consortium)的研究人员，已经开始为实现1TBit／(英寸)2展开研究。目前，所有的设计都是以垂直磁记录方式为前提的”。给人印象深刻的是该信的结尾。“关于垂直记录的未来，我现在比3年前还要乐观”。

　　在3年前召开的PRMC上，Thompson对于垂直磁记录曾经表示过十分保守的意见，说他“感觉不到该技术的魅力”。在此次的信中，Thompson终于承认了垂直记录方式是有用的。

　　●各方争相发表垂直记录技术

　　正象Thompson所表示的那样，目前在硬盘业界开始将垂直记录方式做为高密度硬盘中的一个不可缺少的技术进行研究开发。从MMM-Intermag Conference Acance Program上可以看出有很多是关于垂直记录的讲演。在包括Thompson讲演在内的[AA-01]Session AA“Symposium-Beyond Longitudinal Magnetic Recording”中，秋田县的高度技术研究所[AA-02]、美国Quantum Corp.[AA-03]、日本JVC［AA-04］都将发表关于垂直记录方式的论文。

　　在Session CA“Recording Systems I”中，甚至还加上了“Mostly Perpendicular”的副标题。在CA-01中联合发表论文的日立制作所、东北大学、秋田县高度技术研究所，继该集团在上一次Intermag上发表的采用垂直记录方式实现50Gbitit／(英寸)2之后，将发表实现更高密度的研究成果报告。除此之外，美国的西捷公司、日本东芝、美国Quantum公司等也将发表关于垂直记录方式的研究成果。垂直记录媒体的Session DA“Perpendicular Recording Media”中，除了上述制造商以外还有IBM公司和富士电机的名称。

　　●改进长边媒体以及TMR磁头

　　另一方面，在长边记录方式中引人注目的是，在上一次Intermag上由富士通和IBM公司发表的利用磁层间的反强磁性结合的长边记录媒体。在Session BA“Thin Film Media I: Antiferromagnetically Coupled Media”中，除了这两家公司以外，西捷公司和美国的Komag,Inc.将发表关于记录媒体的研究成果。由于该媒体的面记录密度超过100Gbitit／(英寸)2，因此与垂直记录方式一起这一技术成为有力的候选技术。富士通声称，已经使用该记录媒体实现了300Gbit／(英寸)2左右的记录密度，而在此次Intermag上发表的理论研究及实验结果将在多大程度上支持这一成果，则十分令人关注。

　　在硬盘磁头方面，TMR磁头的发表将吸引人们的视线。继上一次Intermag以后，除了TDK［BB-05］和NEC［BB-06］将会发表新的成果以外，到目前为止在TMR膜应用方面主要以MRAM为中心的IBM公司也将发表关于TMR磁头应用方面的报告［BB-07，FS-02］。在改进Spin Valve膜方面，将有多家厂家发表关于富士通在50Gbit／(英寸)2的实验中使用过的Specular Spin Valve磁头技术成果。在Session EB“Recording Heads II”中，东芝、索尼以及美国Read-Rite Corp.等将提出报告。

　　●100Gbit／(英寸)2的发表有待后人

　　在最近的Intermag中不断有刷新面记录密度的发表，单目前还不知道本届会有哪家制造商将发表成果。但至少与一点会超过Read-Rite公司在今年10月份发表的60Gbit／(英寸)2，不过有意见认为，将难以实现过去认为将在此次Intermag上突破的100Gbit／(英寸)2的记录密度。

　　已经明确将提出实验报告的是Read-Rite公司等提出的“Demonstration and Characterization of Greater than 50Gb/in2 Recording Systems”［HC-12］。该公司表示，“此次提出报告的数值将介于60Gbit／(英寸)2和100Gbit／(英寸)2之间。包括我们在内，各制造商在Intermag之前实现100Gbit／(英寸)2将是非常困难的”(Read-Rite公司，Senior Vice President Research & Development的Mark E. Re)。

　　●降低MRAM的耗电量

　　利用磁阻效果的非挥发性存贮器MRAM的发表了引人关注。MRAM被认为具有高速、高集成度以及低耗电量等卓越的性能，但是随着研究开发的深入，存在的问题也逐渐暴露出来。最大的课题之一是写入时所消耗的电流。在MRAM中，通过布线中流动的电流产生磁场，再利用该磁场调整记忆元件的磁化方向来完成改写操作。要想降低电流值，必需降低磁化记忆元件的切换磁场(调转磁化方向所需要的磁场)。不过，如果切换磁场太小，磁化方向则又会受到外部噪音磁场的影响发生翻转，从而导致写入的信息消失。目前正在陷入这种本质性的悖论之中。

　　对此，在此次的MMM-Intermag上估计会提出某种解决方法。在MRAM方面处于领先地位的IBM公司和美国摩托罗拉公司将分别提出通过加热降低切换磁场的报告[FD-06，FD-08]。另外，还有到目前为止一向不愿意在学会等公共场所发表技术的美国惠普公司的讲演[FD-07]。摩托罗拉公司和惠普公司都表示将在2003年实现MRAM的产品化，为了掌握硬盘业界的技术发展情况，密切关注MMM-Intermag会议是不可缺少的。(Nikkei Electronics)