将于2001年2月4日至8日在美国旧金山(San Francisco)举行的半导体国际会议“ISSCC 2001 (International Solid - State Circuits Conference)”上，没有有关CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)的论文发表。而在以往的ICCSS上，总有不少关于CCD的论文发表。取而代之的是CMOS图像传感器(Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor，互补金属氧化物半导体影像传感器)，有关论文发表却有9件之多。这表明，至少在研究阶段的图像传感器技术的开发焦点已经完全从CCD转移到CMOS上来了。

　　也许在不久的将来，搭载在机器上的图像传感器将全部从CCD转换成CMOS。而日本开发CMOS图像传感器的LSI厂商大都认为“CMOS图像传感器的市场将会急剧扩大，但是至少在目前，在实际使用的设备上，CCD图像传感器同CMOS图像传感器分庭抗礼的时代还会延续下去”。

　　据美国的市场调查公司Cahners In-Sat Group的预测，在图像传感器市场上CMOS图像传感器所占的市场份额比例，到2004年按照数量计算将扩大50.8%，按照金额计算将扩大35.5%。但是该公司同时还预测，CCD图像传感器的市场份额也会同时扩大。

　　在此次ISSCC 2001会议上，CMOS图像传感器之所以能够压倒CCD图像传感器，很多意见认为在于CMOS图像传感器具有作为研究课题的魅力。在ISSCC 2001会议上，利用CMOS图像传感器同LSI之间良好的亲和性，将图像传感器引入内存以及逻辑电路的芯片也将陆续出现。例如，美国斯坦福大学(Stanford University)就发布了利用0.l8μm CMOS技术，在每个存储单元中加入A-D转换器和8bit DRAM内存的芯片。该芯片显示了可以将新功能加入到图像传感器中去的前景，而这种芯片如果使用CCD是很难实现的。(Nikkei Electronics)