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富士通AMD合作闪存制造技术突破130纳米壁垒

http://www.sina.com.cn 2004年04月22日 13:29 太平洋电脑网

  作者:太平洋科技新闻组 Inuki

  AMD与富士通公司的合资闪存制造厂Spansion于本周二宣布说,它们位于得克萨斯州奥斯汀的晶圆厂目前量产的芯片中有50%采用的是110纳米浮置闸极(floating gate)技术。

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  Spansion预计,到今年年中,从该晶圆厂出产的所有产品将全部采用110纳米浮闸技术。Spansion是于今年三月份宣布首次将110纳米技术应用到大规模量产中的,这使它成为据称是业界第一个突破130纳米壁垒的NOR闪存厂家。

  另外,Spansion的第二个晶圆厂,位于日本会津若松的JV3也将在今年下半年沿着同样的途径全面应用110纳米技术。


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