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　　NTT宣布将于2005年左右推出使用薄膜全息技术制造的内存。公司目前已经开发出了可存储1GB数据但是仅有SD卡大小的ROM介质和专用驱动器。

　　根据报道这种薄膜全息内存是在厚度仅为10μm的塑料薄膜上绘制2维图形，并通过 光照射在该图形上得到的反射光图像(再现图像)再现数据的技术。与绘制3维图形的立体全息技术相比，具有光源的波长变化及塑料材料的变形能力较强的特点。虽然该技术存在存储密度较低的缺点，但可以通过将数百枚薄膜重叠增加容量。从原理上讲，可以实现数百Gbit/英寸2以上的存储密度。

　　而这次开发的存储介质在1张薄膜上实现了1.7Gbit/平方英寸的存储密度。而现在可以将100张薄膜重叠在一起，如同前面所述，从技术角度来说，最大层叠几百张薄膜都没有问题，这样就能够实现在每一平方英寸上储存数百G甚至1Tbit数据的高密度化。

　　但是目前全息内存技术的缺点也很明显，一是速度慢，目前的速度仅仅达到1.5Mbit/秒，这对于海量的数据量来说简直是不可接受的。而另一个就是成本提高，当让这也是所有新技术的通病。

　　目前，虽然NTT正向唱片界等大力推荐自己的这项新的储存技术。但是目前摆在NTT面前的第一任务应该就是实现这种内存技术的实用化，要开发更廉价的材料，且也要实现更高的速度，不然就算作为便携储存设备那种速度也是不会被消费者接受的。