ZDNetChina10月14日报道：Sun公司将发布新款处理器，UltraSparcIV。这种芯片的测试结果比它的前代产品高出1.6到2个基数点，从而为Sun提供更多和英特尔，IBM以及AMD产品竞争的资本。

　　本周，Sun公司将在加州圣何塞召开的微处理器论坛会议上宣布，将于今年年底开始生产UltraSparcIV处理器。Sun公司微处理器市场部的副总裁Andy Ingram预计，到2004年6月 ，1.2GHz 的 UltraSparcIV即可上市。

　　UltraSparc IV处理器的一块硅板上拥有2颗UltraSparcIII型芯片内核。IBM在它的Power4处理器上也采用了类似的技术，英特尔计划在自己的 Xeon 和Itanium处理器上也运用相同的制造技术。据悉，UltraSparcIV和UltraSparcIII的芯片插槽大小相同，这样，那些正在使用UltraSparcIII芯片的用户就可以很方便的进行升级。

　　尽管Sun公司将自己定位于一家软硬件及服务产品综合提供商，但新款芯片的推出无疑将巩固公司产品线的基础。Insight64的分析师Nathan Brookwood认为， UltraSparc IV的高速性将很好的提高Sun已有产品用户的忠诚度。

　　他说：“这种产品能够让Sun公司继续发展，我们认为，UltraSparc虽然还不足以吸引新的用户，但留住已有客户的心还是不成问题。”

　　Sun公司处理器与网络产品部的执行副总裁DavidYen承认，由于受到英特尔的挤压，Sun公司正在被迫放弃它的UltraSpar芯片而不得不使用其它公司的处理器，象英特尔的Xeon，Itanium以及AMD的Athlon等产品。

　　在谈及1.2GHz UltraSparc IV与1.2GHzUltraSparcIII的性能指数差异时，Ingram说：“综观UltraSparcIV芯片，我们能够将数据吞吐量提高2倍，至少在处理器级别上是这样的。”

　　RedMonk公司的分析师James Governor认为，提高芯片性能对Sun公司至关重要。

　　就像英特尔不断推迟Itanium芯片的上市日期一样，Sun在一些芯片产品上也对消费者放了鸽子，但Brookwood说，Sun正在努力改善这种状况。

　　Sun公司透露，首批 UltraSparc IV 芯片将使用130纳米制造工艺，但明年的产品会采用90纳米技术。

　　最佳益友

　　本周，Sun将和德州仪器共同庆祝他们15周年的合作关系。德仪公司负责Sun事务的负责人JulieEngland说，他们正在帮助Sun进行UltraSparc芯片的90纳米制造工作。

　　England说：“我们和Sun正在进行这种制造技术的中期研发工作，到明年第四季度，我们期望能够进行批量生产。”

　　Sun希望利用90纳米生产技术提高芯片的稳定性，而进一步的改进工作，比如芯片电路整合等工作将留至将来版本的芯片来完成。

　　据悉，90纳米芯片制造工艺将使用一种叫做“应变晶硅”（strainedsilicon）的技术来实现芯片更高的速度性能扩展空间，90纳米技术还将采用“低介电系数材料”（low-kdielectric），此外，这种工艺还把芯片的一个重要部件，栅极（gate）的长度缩小到了37个纳米。

　　England介绍说，采用90纳米技术另外一个切实的好处是：芯片上的每个晶体管的开关速度要比用130纳米技术制造出来的晶体管速度快50％。

　　Sun 公司透露，UltraSparcIV芯片的大小为356平方毫米，而Itanium2芯片的大小是374平方毫米，Power4+处理器的大小是267平方毫米。

　　芯片越小，制造商的成本越低，而芯片的耗电量也更小。

　　新的方向

　　自从Sun 公司收购Afara Websystems公司以来，它的芯片设计计划就发生了很大的变化。

　　Sun原先曾将设计重点放在尽可能提高芯片处理指令的速度之上，但这项任务不可避免的要受到计算机内存通讯速度的制约，作为补偿，芯片设计师只好在芯片上增加高速缓冲存储器，但这样以来，芯片的体积就会增加，价格也更昂贵。

　　利用一种叫做Afara的技术，Sun在芯片上实现了同时处理几种任务的功能，即“多线程”。

　　Brookwood认为，尽管这种概念还未正式付诸实施，但它确实是解决内存延迟问题的一个好方法。

　　据悉，第一种Afara技术的处理器（正式代号“尼亚加拉”）将于2005年或2006年上市。这种芯片的主攻方向是处理网页等任务的低端服务器市场。另外一种速度更快的高端芯片也在Sun的规划蓝图中。

　　Ingram说，这种后UltraSparcV处理器尚未定名，它将融合现有UltraSparc产品线，Afara和MAJC等产品的技术。（翻译：李海）