计算机世界网消息 韩国三星电子公司在世界上领先采用70纳米半导体工艺，开发和批量生产4G容量的快擦写存储器。

　　韩国三星电子2003年9月29日在汉城召开了记者招待会。三星电子负责半导体生产的总经理黄昌圭先生在会上宣布了这一消息。黄先生称，三星电子公司的4G容量的快擦写存储器的制造，领先于竞争对手9个月左右。

　　目前三星电子已成为世界上最大的快擦写存储器的生产厂商，其生产的“NAND”型快擦写存储器已占有全球65％的市场份额。与DRAM存储器一起，快擦写存储器成为了三星电子公司的两大赢利产品之一。从1999年三星电子推出256兆位快擦写存储器起，最近4年其快擦写存储器的销售，一直保持着连年翻番的优秀业绩。主要用于移 动电话等方面的快擦写存储器，已经成为了三星电子一项稳定的财源。

　　利用三星电子开始批量生产的4G快擦写存储器，可以制造8G位容量的存储卡。该存储卡主要用于手机、数码相机、游戏机和MP3播放机等产品。由于4G快擦写存储器可以存储32000页的报纸或者录下12小时的音乐，该容量的快擦写存储器已成为小型硬盘的替代品。

　　据三星电子公司的统计，快擦写存储器是目前市场上发展最快的存储器。2003年其全球市场规模为30亿美元。预计2005年该市场规模可达到66亿美元。2007年可望增至160亿美元。其年增长率高达70％。

　　在该记者招待会上，三星电子公司的黄昌圭先生称，该公司正利用80纳米线宽的半导体工艺，批星生产512兆位的DRAM存储器。