ChinaByte9月10日消息，IBM周二宣布，该公司已开发出了两项新的芯片制造技术，以生产速度更快、耗能更低的半导体，而这种产品还得数年后才上市。

　　IBM称，他们已发明了一种将两层矽结合的方法，使利用互补金属氧化半导体(CMOS)标准技术制造的芯片晶体管性能更强。

　　IBM还表示，他们已克服了在制程中同时使用绝缘应变矽(SSDOI)与矽锗(SiGe)的技术问题，而以上两者的同时使用会有助提升芯片的运算速度并降低其耗电量。

　　“在利用标准晶圆处理技术时，这两项革新技术运用起来相当容易，”IBM科技研发部副总裁T. C. Chen博士在一份声明中说。

　　“这两项技术中任何一项都能使业界制造出性能更佳、能耗更低的芯片；两项技术合用的话，芯片效能就更高了。”