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　　Infineon科技已经开始对其重要的合作伙伴提供1Gbit DDR SDRAM颗粒芯片，公司表示，该160mm²的颗粒采用0.11微米工艺制造，高精度的技术使得该芯片成为目前世界上最小的1Gbit DDR SDRAM。

Infineon发布1Gbit DDR SDRAM颗粒芯片

　　采用66-pin TSOP或者68-pin FBGA封装方式，新的芯片可以采用X4、X8以及X16的构架，可以工作在133到200MHz(DDR266-DDR400)。为了使每个模组达到最大密度，Infineon采用了在制造4Gb registered FBGA芯片中所用到的Dual Die Stack技术。

　　1Gbit DDR SDRAM将应用于registered和unbuffered内存，主要提供给高端的服务器及工作站。采用该颗粒的主要产品包括2GB和4GB的registered DIMM、unbuffered 2Gb DIMM以及1GB和2GB的笔记本用SO-DIMM。预计该样品将在进年第四季度推出，大规模上市将在2004年初。

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