【赛迪网讯】Infineon Technologies AG与Micron技术公司5月12日在美国爱达荷州首府博伊西发布了用于缩短响应时间的DRAM II (RLDRAM II)的规格书。

　　RLDRAM II是第二代DDR DRAM的配件，时钟频率400MHz。RLDRAM II宣称响应与自由周期时间为20-ns，与前一代25-ns相比，有明显提高。

　　Micron进一步宣称，RLDRAM II的优势在于on-die termination与可编辑的出端阻抗。但是，Micron没有给出任何的有关功率损耗的信息。

　　RLDRAM II装置是解决高速以太网与下代试图获得10-Gbit/s或40-Gbit/s数据传输速率网络体系的一个极佳方案，Micron's DRAM网络与通信市场管理经理Deb Matus在一份声明中说。

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