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Infineon联手SMIC转向0.11nm/300mm晶圆工艺

http://www.sina.com.cn 2003年04月01日 08:57 PCPOP-电脑时尚

  新闻更新:David

  Infineon和中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)于近日在上海再次签署协议,主要围绕于改进DRAM芯片生产工艺并扩大生产规模的合作计划。新协议称,Infineon将向SMIC授权其0.11微米、300mm晶圆的DRAM芯片制造技术。作为回报,SMIC将会为Infineon独家制造基于这一技术的产品,并且已经开始在北京进行投产工作。

  在去年12月,两家公司就曾经签订了0.14微米DRAM芯片制造技术的授权协议,新协议生效后,在位于北京的制造厂将提高每月15000个晶圆的制造能力(300mm),加上之前基于200mm晶圆的每月20000颗晶圆的走量,将提供等效于200m晶圆工艺下每月58000颗的总生产能力。据悉,Infineon和中芯基于300mm晶圆的产品有望在2004年夏天正式量产。


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