三星大批生产DDR-II双列直插式存储模块 | ||
---|---|---|
http://www.sina.com.cn 2003年03月25日 10:07 赛迪网 | ||
【赛迪网讯】3月24日,三星电子宣布已开始大量生产该行业的第一款1GB DDR-II双列直插式存储模块(DIMM),这种模块以512Mbit DDR-II零件为基础。 “三星公司美国分部的存储器销售及营销副总裁Tom Quinn称:“DDR-II是一种可行的技术,并将在推动新一代功能完备的高速游戏类PC、服务器及网络计算机的开发中起到关键作用。” 对于同样的内部频率,DDR-II提供的外部带宽为标准DDR解决方案的两倍。这种1.8伏特设备的高速数据传送速率为533Mbps,并且对于网络及特定的系统环境可以扩展到667Mbps。 三星在去年5月首次向芯片开发人员推出符合JEDEC标准的512Mbit DDR-II工程样品。
订新闻冲浪 互动点播 赢彩屏手机MP3播放机! |