【赛迪网讯】据外电报道，贝尔实验室(Bell Labs)的科学家近日宣布，已发现一种新方法，可深入检视半导体内部，并显示硅中单一杂质原子的影像。这种技术突破可协助科学家了解，杂质对微芯片属性的影响。

　　深入原子层级探析半导体的内部，对设计未来的制程技术非常重要，因为以后的高速电子装置，如微处理器等，都需要能缩小尺寸的制程技术，才能延续摩尔定律的不断发展。

　　摩尔定律最初由英特尔公司共同创办人Gordon Moore于1965年提出，指半导体上的晶体管数目，大约每隔18个月就会增加一倍，而面积缩小50%。

　　贝尔实验室说，这是历年来，单一杂质粒子可在不受干扰的情况下，可摄得照片，用的是一种特殊的电子显微镜。贝尔实验室说，这是一大壮举，难度有如遥望月球表面的一枚脚印。

　　描述研究结果的一篇文章，也刊登在本月25日出刊的“自然”(Nature)杂志上。

　　贝尔实验室原料研究部主任Elsa Reichmanis说，随着芯片愈来愈缩小，了解并拍摄装置内部的化学和物理环境愈发重要，因为那些化学和物理性质终会决定晶体管和连结线的尺寸能缩小的程度。

　　所谓杂质，或掺杂物(dopants)，是刻意引进硅片中，用来提供控制芯片电属性的载子(charge carriers)。但随着芯片组件持续随摩尔定律而缩小，半导体工业将达到一个临界点，届时一些杂质的原子可能决定某特定装置的功能表现。

　　贝尔实验室说，此技术极为敏锐，且能适用于几乎任一种材质，不局限于半导体。

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