英特尔公司宣布研制成功能够容纳3.3亿个晶体管的内存芯片，采用这种技术生产的内存产品明年将批量上市，进入主流市场。这种实验性的SRAM内存芯片目前的大小约为109平方毫米，可存储5200万字节的数据，是有史以来存储容量最高的SRAM内存。

　　英特尔公司指出，这种新型内存芯片是采用90纳米生产工艺生产的，它充分说明摩尔法则还没有过时。根据计算机领域十分著名的摩尔法则，芯片上能够集成的晶体管数量每18至24个月将增加一倍(其原因是随着技术的进步，晶体管的体积将不断缩小)。

　　目前，运行速度最快的计算机芯片是采用130纳米制造工艺生产的，也就是说芯片内部的电路只有大约130纳米宽。采用90纳米生产工艺以后，电脑微芯片的体积便可缩小一半或者添加更多的功能(因为芯片上现在可以集成多一倍的晶体管)。

　　130纳米工艺生产的芯片是去年年中正式问世的，90纳米芯片产品预计明年夏天可以上市。

　　英特尔公司研究人员透露，目前展示的SRAM芯片上设计的电路结构将被用于未来芯片的缓存。近年来芯片缓存容量的大小越来越为消费者所关注。英特尔即将发布的服务器微芯片McKinley面积有464平方毫米，是多年以来体积最大的电脑芯片。但是它的相当一部分被容量高达3MB的缓存芯片所占据。McKinley的后继产品Madison缓存容量还将提升到6MB。

　　英特尔正在紧张开发的新一代奔腾4电脑芯片也将采用90纳米技术生产。(王伦)

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