英特尔近日宣布其使用在手机、手持式计算机，音乐播放器，及其它消费电子产品的零组件──闪存，进入0.13微米制程并即将开始出货。其体积将比目前采用0.18微米制程的闪存小50%。

　　英特尔今日发表的3伏特Advanced+ Boot Block内存芯片属于Advanced Boot Block系列闪存系列产品之一，可以为手机制造商带来许多好处。例如，英特尔可以在相同的人力下生产更多的芯片，也就是说将提升公司的产能，更重要的是，可加速降价。

　　“就制造的观点来看，这有很多好处。”半导体研究(Semico Research)的分析师Rich Wawrzyniak表示。

　　而竞争对手AMD的闪存还在0.25微米制程，下一步将跨入0.18微米。

　　在缩小芯片大小之后，手机制造商将可在同样的空间内放入更多的封装内存，英特尔的产品销售经理Scott McCormack表示。随着手机越来越像上网的计算机，更多的内存是必要的。

　　去年，手机平均内建的内存为16Mb，今年则已经提升到32Mb，明年并将达到64Mb。在日本，平均数字甚至更高。

　　英特尔以新制程制造的内存将有32Mb和64Mb两种版本，而以该制程所制造的芯片最后可望达到520Mb的密度。这种更小的芯片同时也会更省电。

　　Boot Block是英特尔闪存的一般性产品线，在2002年底时，英特尔将制造密度更高的Strata Flash芯片。

　　虽然业界在2000年时饱受闪存短缺之苦，但今年经济的衰退让闪存供过于求。分析师怀疑，整个零件供过于求的现象将持续到整个2002年。

　　现在英特尔已开始供应32Mb芯片样本，并预计将于明年第二季开始生产。64 Mb芯片预计将于2002年年底开始生产。每万颗量购单价分别为11与19美元。

   订短信头条新闻 天下大事尽在掌握！
      新浪企业广场诚征全国代理