Hynix推出512M DDR266内存芯片样品_硬件_科技时代

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Hynix推出512M DDR266内存芯片样品

http://www.sina.com.cn eNet硅谷动力

　　文/壮志凌云

　　【eNews消息】Hynix近日宣布，已经研发出了266MHz 0.13微米工艺的512Mb DDR SDRAM内存芯片样品，同时还承诺不久将推出333MHz版本的样品。Hynix的声明宣告了一种新技术已经得到认可。但根据内存市场现状来看，由于内存厂商不久前才由128MB转到256Mb生产线上来，即使Hynix作出承诺，但向512Mb生生产线完全过渡可能要等到2003年才能完成。　由

此看来，Hynix将在内存市场上走在同行的前面，该公司自称其前景也很不错。Hynix全球营销官Farhad Tabrizi说，Hynix能够在如此短的时间里掌握如此先进的技术表明我们在市场上有着非凡的竞争实力。

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