磁阻式随机存储器将挑战闪存

http://www.sina.com.cn 2008年06月10日 10:22  驱动之家

  磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明这一点。

  根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一宣布,它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。

  MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力,以及Flash不挥发性的特性,在Cell面积上也和DRAM比例相近,而重复读写次数和DRAM、SRAM相同,操作电压也近似,可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体,目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。

  据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技,而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同时作为一个主要的MRAM供应商存在,飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin提供的MRAM产品。

作者:Alright

硬件·台式机每日热点硬件首页 硬件新闻排行榜 台式机首页
发表评论 _COUNT_条
Powered By Google
不支持Flash
·城市对话改革30年 ·新浪城市同心联动 ·诚招合作伙伴 ·企业邮箱畅通无阻
不支持Flash