内存颗粒上演纳米战 奇梦达将推58nm工艺

    据奇梦达亚太区计算类存储产品部市场经理吴至中介绍，目前70nm工艺已占奇梦达70%产能，今年将会导入58nm制程，然后会不断向46nm、30nm挺进。吴至中透露，70nm是奇梦达DDR3产品的工艺起点，但低功耗的实现能力则是奇梦达的技术优势。

    据悉，英特尔将在2008年中，推出业界首台拥有省电、高性能的DDR3内存之迅驰移动运算技术平台。Intel对此的评价是，即将上市的Intel迅驰双核处理器加上奇梦达SO-DIMMs低功耗及高带宽，将使Intel的PC、服务器以及移动平台在2008年展现更高性能，并兼具省电及增大容量的特性。

    来自Intel的评测，在目前能提供1G DDR3-1333设计者中，只有奇梦达达到了低于2.5W——为一台典型的笔记本电脑配置2GB SO-DIMM内存所限定的最大功耗。

　 2GB的SO-DIMM模块采用了75nm工艺的1Gbit DDR3组件，省电效果非常明显，与DDR2相比，DDR3优势明显，DDR3仅需1.5伏特的电力供给，而DDR2则需1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同，奇梦达的DDR3 SO-DIMMs与现今主流的DDR2模块相比，可以节省30%到50%的耗电量。