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台积电宣布成功试产32纳米静态随机存取记忆体

http://www.sina.com.cn 2007年12月11日 11:51  中国新闻网

  中新网12月11日电 台积电11日在美国华盛顿特区举行的国际电子组件大会 (IEDM)中发表论文,宣布开发出同时支持模拟及数字集成电路的32纳米制程技术,并成功试产出32纳米2Mb静态随机存取记忆体(SRAM),且已通过功能试验。

  据“中央社”报道,台积电表示,成功开发出32纳米制程技术,象征公司先进技术的开发迈向另一个新里程碑。

  台积电指出,开发出的低耗电量32纳米制程技术,具备低待机耗电量晶体管、模拟及射频功能、铜导线以及低介电系数材料导线等特色,适合用于生产可携式产品所需的系统单晶片。

  因应客户不同市场需求,台积电未来将提供包括数字、模拟、射频以及高密度记忆体等多样的32纳米制程。

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