AMD称HyperFlash性能比英特尔方案高30%

　　微软的Vista中新增ReadyBoost及ReadyDrive技术，Intel方面将主板内置Turbo Memory予以应用，而AMD的SB700南桥也将搭配HyperFlash技术应战。

　　HyperFlash技术将会把闪存控制器线路与IDE总线整合，支持三星OneNAND芯片，最高支持4颗，芯片频率为80MHz，16Bit接口最高传输速度为108MB/s，并声称相比Intel Turbo Memory快30%。

　　现在HyperFlash所采用的模块是由Molex设计，PC厂商可自行生产HyperFlash卡，可支持512MB、1GB及2GB容量，相比Intel Turbo Memory必须由Intel自行生产，HyperFlash的吸引力自然较高，如果HyperFlash营销策略成功，将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商。

　　目前SB700 A12版已经出样，预计12月份量产，明年可以搭配RD790主板销售，支持的驱动到明年2月可以就绪。

　　另外AMD支持HT3.0、PCIE2.0，集成UVD视频模块的集成显卡芯片组RS780目前芯片已经是A11样品，预计明年1月份可以上市。

左下为HyperFlash模块设计，右上为HyperFlash模块卡工程样本。

RS780