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三星大跃进：30nm 64G闪存芯片09年上市http://www.sina.com.cn 2007年10月24日 11:27 IT168.com
闪存要实现G级存储了，三星近日宣布他们已经开发除了30nm的闪存芯片，目前能够提供64G的存储能力，未来128G的优盘不是梦。
三星计划在2009年将这款产品推向市场，而在今年四月，三星的51nm NAND Flash的8Gb(SLC)和16 Gb MLC容量版本已经量产。
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