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使体积更小!三星4GB内存采用新连接技术http://www.sina.com.cn 2007年04月24日 16:52 太平洋电脑网
作者:清风无痕
在本月早些时候,我们曾经听说 IBM 已经准备在其芯片中使用一项名为“through-silicon via”(硅片直通孔)的新连接技术,这种技术可以用来直接把内存和电源芯片结合在一起,不必再通过内存控制器,如此可提高性能10%,并节省耗电20%。 根据 DigiTimes 最新的报道,三星(Samsung )已经将“ through-silicon via ”连接技术投入实用了,采用这种技术的内存芯片已经进入量产了。 这种内存芯片最多可以集成四块512Mb DDR2 芯片,三星计划将生产4GB DDR2内存,内存每侧集成了 8片采用“ through-silicon via ”连接技术的256MB DDR2内存颗粒,采用这种技术之后,内存的体积可以变得更小。
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