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到2006年底英特尔出7000万枚65nm处理器

http://www.sina.com.cn 2007年04月18日 14:33  中关村在线
作者:中关村在线 范会文

  2007年4月18日,CNET(中国)·ZOL北京报道:今日,在北京国际会议中心召开英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum,IDF)。会上,英特尔公司技术与制造事业部高级院士马博先生表示:“英特尔截至2006年底,共发运了超过7000万枚65纳米处理器,远远领先与竞争对手。这要得益于英特尔拥有三家可批量发送65纳米/300毫米晶圆片的工厂,只有英特尔才拥有这样的实力。”


到2006年底英特尔出7000万枚65nm处理器

  从2005年开始英特尔投产了众多的65纳米处理器,其中包含有奔腾D、酷睿双核、酷睿2双核以及至强7100系列等处理器。其中奔腾D9XX处理器为65纳米制程技术普及提供了非常大的帮助,采用4MB缓存了进一步体现了其以商务应用和多媒体应用为主导的领先地位。目前奔腾D系列和酷睿2 E4XXX处理器已开始大幅降价,进一步加快了65纳米普及进程,2007年采用65nm制作工艺生产的处理器比例将达到94%。

到2006年底英特尔出7000万枚65nm处理器

  2007年45纳米制程技术将由开发步入实用阶段,而全新的32纳米生产工艺正式纳入研究计划,预计在2009年进入开发阶段,并渐渐进入生产阶段。目前英特尔从90纳米过渡至65纳米之后,应变硅技术也相应过渡至第2代,从而实现了30%能耗的降低,低K介质也有所提升,从而确保了更为出色的晶体管性能。

到2006年底英特尔出7000万枚65nm处理器

  英特尔从45纳米制程技术开始将引入金属栅极+高K电介质,从而使电流增加20%,功耗降低30%,漏极漏电降低5倍,氧化漏电减少10倍。未来英特尔还会涉及20纳米、10纳米以及5纳米领域,届时将会引入三门、SDS+G以及碳纳米管场效应晶体管技术。

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