IDF07：高K+金属栅极 45nm芯片的基础

作者：赵健锋
    4月17日以“多重动力，携手创新”为主题的英特尔2007年首场信息技术峰会（Intel Developer Forum，简称IDF）今天在北京国际会议中心正式开幕。今年是英特尔第一次将年度首场IDF选在美国之外举行，也是在中国举办的规模最大的一次峰会。

    包括英特尔CTO贾斯汀、数字企业部总经理基辛格等众多技术高管将出席峰会，来自全球各地的IT和技术决策者、开发人员、英特尔技术合作伙伴等将齐聚一堂，与英特尔技术专家、思想领袖面对面交流分享最新的技术趋势和应用。泡泡网受邀参加此次IT盛会，将在此期间将全程为您报道此次IDF的盛况。

  英特尔高级院士兼制程架构与集成部门总监：马博

    在4月18日IDF峰会的主题演讲《芯片技术的领先地位与全新扩展范例》中，马博讲述了Intel在45nm芯片技术上的研究成果，而这一突破性进展要归功于高K+金属栅极晶体管的革命材质。