IDF07:未来英特尔CPU性耗比将提升300%

http://www.sina.com.cn 2007年04月17日 11:44  中关村在线
作者:中关村在线 范会文

  2007年4月17日,CNET(中国)·ZOL北京报道:今日,在北京国际会议中心召开英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum,IDF)。与会中英特尔首席技术官兼企业技术事业部总监贾斯汀表示,英特尔将持续技术创新路线。从2006年开始,每奇数年将更换一代制程工艺技术,每偶数年将推出新的平台架构。


IDF07:未来英特尔CPU性耗比将提升300%

  到2010年的这几年中,英特尔将实现65纳米制程技术普及、45纳米制程技术普及以及32纳米制程技术普及。凭借工艺上的持续推进,届时性耗比提升幅度将超过300%。

IDF07:未来英特尔CPU性耗比将提升300%

  目前英特尔在全球共拥有七家能够生产300毫米晶圆的工厂,未来依托这些工厂的强有力支持,英特尔将快速实现制程技术的更新以及架构策略的推进。制程技术的推进有助于在提升性能的同时大幅降低能耗,尤其对于未来多核技术发展具有极其深远的意义。制程技术的提升也有助于缩小晶圆面积,从而降低生产成本,并为多个核心集成于一个芯片内部提供强有力的快速实用化支持。

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