Hynix和Sandisk闪存领域达成交叉授权

    Hynix已经宣布和Sandisk在闪存组件领域达成专利交叉授权许可协议。协议概述了两家公司合资制造并销售基于NAND闪存存储元件系统解决方案。具体协议条款是保密的。

    Hynix半导体公司资深副总裁在一份新闻公告中说：“我们很高兴能顺利完成谈判。与Sandisk的方式将有利于客户和股东。这两家公司.随着专利交叉许可，使我们能够放下后顾之忧，并把注意力放在一个非常有前景的合作关系上。我们期待着建立这种关系有利于双方公司的共同利益。”

    据悉，东芝和Hynix已经结束了NAND结构的DRAM、闪速存储器超过两年的专利纠纷，签订协议共享专利和技术。