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Intel积极抢攻non-volatile内存市场

http://www.sina.com.cn 2007年03月13日 08:16 泡泡网
作者:科技投资网

    根据Electronic News报导,Intel的flash memory group高阶主管Brian Harrison说明了有关于该公司未来将如何抢占non-volatile内存市场的计划;这个市场在2006年度的规模约为200亿美元,预测到了2010将成长至400亿美元。Intel依据non-volatile内存密度消耗每年约以91%的速度成长,再加上手机、运算各领域的应用与机会来评估,该公司对于抢攻这个市场的远大目标非常有信心。

Intel积极抢攻non-volatile内存市场

    在NOR方面,Harrison强调Intel之前已经推出六个世代的MLC产品,并且拥有M18系列能与90、65及45奈米node相容。在去年第四季,该公司更推出第一款65奈米1-gigabyte NOR芯片;这款芯片的推出距离90奈米芯片只有一年。在NAND方面,Intel与Micron在去年七月透过IM Flash Technologies开始供应50奈米NAND芯片。展望未来,Intel非常看好新型态的内存phase-change memory (PCM) 将具有很高的发展潜力,因为它兼具RAM、NOR与NAND的优点。PCM内存具有write-over的特性,也就是旧有的数据无需先被删除就可直接再撰写上新的数据。Intel预定在今年第二季开始提供90奈米工作样品与标准样品,客户可望在今年底之前开始得到供货。Intel积极押宝在PCM上,并且努力为这个技术创造价值。

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