IBM技术突破 AMD处理器有望缓存翻3倍

　　【IT168 资讯】IBM近日向外界宣告该公司芯片技术又有新突破，成功发展出能够让处理器储存数据提升3倍的电路，并且性能表现可望提升1倍。

　　目前处理器的缓存采用的是SRAM组成，每个位由6个晶体管组成，而DRAM只须要1个晶体管和1个组件即可组成储存1位的电容器，可以存储较多的数据，但是速度上比SRAM差很多，普通DRAM为10~12ns，而SRAM为0.8~1.0ns。

　　IBM使用Silicon-on-Insulator（SOI）技术成功发展出可用于高速缓存的DRAM电路，读取速度达到1.5ns，虽然速度还不不上SRAM，但是相同空间下可以存储3倍的数据，这将使得处理器的性能大幅提升。

　　IBM与AMD有很好的技术合作关系，所以AMD处理器有望使用此技术，Intel则认为采用DRAM做缓存成本较高恐怕得不偿失。