Intel明年启用35nm工艺生产NAND闪存

　　路透社报道，Intel将从明年即2008年开始启用35nm工艺生产NAND闪存芯片。

　　按照Intel计划，首批35nm NAND闪存，将在Intel和Micron合资的新加坡工厂当中生产。Intel 35nm NAND闪存芯片，除了供应闪存组装厂商之外，还将用在Intel自己08年问世的Santa Rosa新一代移动平台上，以增强Robson硬盘启动速度。

　　Intel目前采用72nm工艺生产NAND闪存芯片，但是基于竞争激烈的关系，Intel希望在年内启动50nm工艺，以进一步降低NAND闪存芯片生产成本。

　　分析师认为，2008年投产的35nm工艺将帮助Intel在NAND闪存芯片的每个单元内存储更多的数据，在提升单晶圆切割芯片数量同时，提升NAND闪存芯片的容量。