Intel未来的双核心45nm Penryn性能强劲

　　最新资料显示，Intel未来的双核心45nm Penryn将集成4亿1000万个晶体管，而现在的 65nm 双核心 Conroe集成的数量仅为291M。此外在核心面积方面，尽管Penryn核心面积的相关数据还没有正式公布，但从已知的情况来看，其核心面积为110mm2,比现在的Conroe 核心的 143mm2也小了不少。

　　根据上面的情况，英特尔未来的集成两颗Penryn核心的四核心 Yorkfield 处理器的集成晶体管数量将达到 8亿2000万个，而其封装总体面积也仅于现在的四核心 Kentsfield 是一样的。 Yorkfield并非英特尔未来将要推出的原生四核心处理器。目前英特尔计划使用三个厂生产45纳米处理器，这三家工厂分别是 D1D Oregon 、 Fab 32和 Fab 28 Israel。 45nm Penryn移动版的功耗为35W ，台式机版为65W ，服务器版则为80W，均小于目前相应的主流处理器。

双核心45nm Penryn内部

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