三星展示50nm 16Gb NAND闪存芯片样本

    在计算机存储技术方面，传统硬盘的发展速度正在放缓。鉴于此，三星电子等公司正在寻求闪存固态磁盘（SSD）作为替代硬盘和降低程序加载时间的解决方案。

    除了响应速度更快，相对于传统硬盘，闪存固态磁盘的功耗也大幅降低，其在未被访问时的功耗为零瓦，而在执行读写动作时的功耗可低至200毫瓦。

    正是看中了低能耗的优点，索尼和富士通均要求三星为其移动计算机供应闪存固态磁盘，三星还在其Q30笔记本和Q1超移动PC（UMPC）内应用了此种存储设备。

    三星电子在1月3日宣布开发出全球首款基于50nm制程的16Gb NAND闪存。与其他采用2KB页面尺寸的竞争性产品不同，三星的多层单元（MLC）设计使用了4KB的页面尺寸，读、写速度分别提高了1倍和0.5倍。

    存储容量的增加和写入速度的提高有助于三星达成2008年上半年量产128B闪存固态磁盘的目标。

    三星将从2007年第1季度起量产新型的多层单元16Gb NAND闪存芯片。