三星开发出80nm工艺1GB手机DRAM内存

    近日，三星电子对外宣布，它已经开发出了行业首款移动设备用80nm工艺1GB移动DRAM。这家韩国芯片商还透露，它将于明年第二季度将该新产品进行量产。

    三星称，这款新型芯片，将比其他高密度移动芯片更加高效，并可以适用于大量先进手持设备产品中，如数码相机，便携式媒体播放器和便携式游戏产品。

    同时，三星公司还指出，虽然这款新的1GB移动DRAM芯片使用传统的封装方式，但是它在其中引入了一个新的温度传感功能，从而使备用模式的电源消耗比传统内存芯片设计降低了30％。

    在芯片体积上，三星表示，新的1GB移动DRAM芯片至少比一块双512MB芯片封装的1GB芯片要至少薄20％，从而使1.5GB甚至2GB移动DRAM内存的单块高密度封装方案成为现实。