科技时代新浪首页 > 科技时代 > 硬件 > 正文

最新消息预告:未来内存速度将提升500倍


http://www.sina.com.cn 2006年12月14日 14:43 太平洋电脑网
作者:清风无痕

  IBM的科学家在旧金山举行的国际电子装置会议(IEDM)上发表的一篇论文中证实,IBM联合奇梦达(Qimonda)与旺宏电子(Macronix)的研究员已经开发出一种新的适用于内存的材料,这种材料生产的内存的速度比目前的FLASH芯片快500倍以上。

  IBM Almaden研究中心Spike Narayan表示这种新型记忆芯片技术今后可能会应用于IBM未来的Power PC微处理器。 据介绍,这种新开发的材质是由锗和锑构成的合金,这种新材质的优点是,可用来制造执行速度比目前快闪记忆芯片快500倍以上的开关(switch)。目前研发出的的原型开关高度仅3纳米,宽度仅20纳米,因此未来的记忆芯片尺寸可以变得更小。体积变小的好处是可以大大减少耗电量,目前的闪存产品在尺寸上面已经遇到的瓶颈,而这种新的材质的使用则可以突破目前FLASH闪存所遇到的困难,在减少体积和耗电量的情况下,大大提高内存的容量和运行速度。

爱问(iAsk.com)



硬件论坛】【收藏此页】【 】【多种方式看新闻】【下载点点通】【打印】【关闭




科技时代意见反馈留言板 电话:010-82628888-5595   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2006 SINA Inc. All Rights Reserved

新浪公司 版权所有