高速低耗 三星发表融合型内存OneDRAM | |
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http://www.sina.com.cn 2006年12月14日 05:21 小熊在线 | |
作者:小熊在线-layla
三星电子今天宣布完成融合型内存芯片OneDRAM的开发。 这款新型内存芯片的频率为133MHz,容量512MB。其显著特性之一,是使得移动设备不再需要同时指定DRAM和SRAM作为缓存,而只通过单个OneDRAM芯片就能完成通讯处理器和媒体处理器之间的数据传输。 OneDRAM主要应用于移动电话、游戏平台以及其他数字应用领域,特别是使用3D图形的移动环境,可以显著提高移动设备处理器间的数据传输速率。 该芯片的主要优点在于:能耗降低30%,节省空间,数据传输速率提高5倍,延长电池使用时间。 三星预计OneDRAM可在2007年下半年应用于手机产品之上。 |