电脑闪存有望提速100倍 彻底淘汰硬盘

   今天，IBM对外宣布，它和Qumonda、Macronix将展示一种新的存储技术，该技术将有效降低个人计算机、服务器和数码类产品中闪存芯片的使用。该透露，这三家公司将于本月13日旧金山的一次IEEE会议上展示这项新的内存技术－－相变存储（PCM：phase change memory）。

    这些公司称，相变存储有望催生出高密度非易失性存储器。IBM实验室的科学家们拥有一个概念性相变存储设备，据称，该设备的速度比一般闪存要快100倍。IBM方面称，按照摩尔定律，这种类型工艺将一直到2015年才会应用到闪存设备的生产中。

    PCM技术是一种采用了特殊材料作为存储介质的存储新工艺，该工艺一改通常靠改变电相位实现存储目的，而是通过改变存储材料的内部结构达到存储目的，其潜在性能优于普通的闪存工艺，所优点包括：提供了更快的读写速度，具有反复使用功能，以及向单个存储地址写入的能力。尤其是PCM技术内在的灵活性优于目前正在应用中的其他任何非易失性存储器技术，决定了该技术具有很强的前瞻性。

    据悉，这项新型存储技术的研发工作将在IBM公司位于纽约州的TJ Watson研究中心和加利福尼亚州的Almaden实验室展开，来自三家公司的20-25名工程人员将分工协作，负责进行该项目的研发工作。