新磁性薄膜存储技术:速度更快不怕断电 | ||
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http://www.sina.com.cn 2006年12月11日 14:58 IT168.com | ||
【IT168 资讯】新华社报道称,英国科学家日前发明了一种可以准确控制磁性薄膜中磁场模式的新技术,为进一步提高计算机的存储能力提供了可能。 目前的磁性存储技术使计算机硬盘的存储能力趋于饱和,而且以硅为材料的计算机随机存储器芯片在断电后数据会丢失。磁性薄膜可用于制造计算机存储材料,巴斯大学、布里斯托尔大学和利兹大学的物理学家成功利用高能镓离子光束来控制厚度只有几个原子的钴薄膜的磁场方向。通过控制钴薄膜中的磁场方向可以完成信息的存储,且存储量大大增加——以磁场的“上”和“下”来对应计算机传统二进制编码存储技术中的“1”和“0”。 研究人员表示,通过测量磁性薄膜的电阻可读取磁场的方向,比目前计算机硬盘读取数据的速度快得多,而且还能避免计算机系统突遇断电而发生的数据丢失现象。
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