好消息台联电45nm工艺取得重大突破

　　世界三大半导体工业势力之一的台湾半导体事业，向来都是以成本控制来攻城略地的。而决定成本的首要因素便是工艺制程，更精密的制程能让同一片晶圆切割出更多数量的颗粒（Die）之外，还能降低功耗和频率方面的性能。

　　台湾主力半导体厂商对比欧美韩日的领先制程还是稍晚落后的，但是随着45nm在intel、AMD等厂商的试产成功，以及70nm在2007年上半年就能转入等消息之后，台湾方面也传来了好消息。这将意味未来我们能有更快，更大容量，更便宜的内存/闪存以及GPU/CPU产品。

台联电Fab12A厂房

　　台湾联电(UMC)已在45nm工艺进程之路上完成了关键的一步：试产出了一块不到0.25平方微米的SRAM芯片。这块实验性芯片上UMC的工程师们可以说是使尽百般武艺，动用了沉浸平版印刷术、超浅结(USJ)、low-k电介质等各种最新工艺。联电计划在2007年投产45nm工艺产品。与65nm工艺相比，新工艺可以将由六枚晶体管组成的一个记忆单元的SRAM芯片的面积减小50％，性能则提升30％。45nm的首个芯片是在台联电位于台湾南部的科技园内的Fab12A内完成的，UMC的核心开发部门以及Fab12A的经理，孙博士向媒体公布了这个消息。

　　台湾的另一大半导体巨头台积电(TMSC)曾在今年夏天宣布，已经使用沉浸平版印刷术制造出45nm实验性芯片，拥有10个金属层，门长度仅有26nm，并使用了应变硅技术、三栅氧化层和第二代low-k电介质薄膜。与竞争对手类似，UMC也使用了193nm的沉浸平版印刷扫描仪，以改进晶圆蚀刻。

　　目前已经有多家半导体业巨头披露了45nm工艺进程，如Intel、IBM、德州仪器、台湾台积电等，而新加坡的特许半导体、韩国三星、德国英飞凌也正在与IBM展开合作，不过他们的工艺用途各有不同，没有直接的可比性。

　　如果台湾厂商放弃65/70nm的制程而直接启用45nm，是否会影响到世界各大厂商的部署呢？