Intel搞定65nm工艺1Gb NOR闪存

　　Intel宣布，业界首款基于多级单元(MLC)技术和65nm生产工艺的1Gb NOR闪存已经准备就绪，即将开始出货。

　　Intel的65nm 1Gb NOR闪存基于其StrataFlash(M18)架构，具备深度省电模式，并向下兼容去年推出的90nm 512Mb型号。新闪存的1.8V电压和133MHz读取速度与90nm版相同，但写入速度从0.5Mb/s翻番至1.0Mb/s，从而改善了自己的弱势，面积上也比Spansion的90nm 1Gb Mirrorbit小三分之一，只是后者在半年前就已投入量产。

　　新的NOR闪存定位于具备百万像素摄像头、视频播放和高速数据传输能力的多媒体手机。NAND闪存凭借高密度、大容量一直占据着这种设备，但Gb级容量、访问速度更快的NOR闪存也有望占据一席之地。Intel表示，索尼爱立信和英飞凌已经完成了相关设计。

　　2007年，Intel还将推出同样基于M18的65nm 512Mb/256Mb/128Mb型号。

　　Intel官方新闻稿在