三星3D封装突破：现可堆叠16个存储芯片

　　【IT168 资讯】近日三星宣布在存储芯片3D封装技术上取得了突破，原来最多堆叠8个芯片的技术现在可以堆叠16个芯片了，这都得益于新的芯片减薄和切割技术。

　　新的芯片减薄技术能让晶圆厚度减少4%，经过处理的晶圆总厚度仅有30微米左右。是去年发布的10芯片封装包晶圆厚度的65%，与人的细胞厚度相当。

　　新的激光切割技术能防止通常方法中容易出现的芯片碎裂情况，这项技术最初设计用来切割80微米级的晶圆的。成品以Z字形方式堆叠，粘合剂的厚度也被减小到20微米，所以整个16-die芯片保厚度仅为1.44毫米。新的堆叠工艺可使单个多芯片封装的存储容量达到16GB，三星称这是芯片发展史上的最高密度。