科技时代新浪首页 > 科技时代 > 硬件 > 正文

Intel台北详解DDR3 称其低延迟低功耗


http://www.sina.com.cn 2006年10月24日 20:06 中关村在线
作者:余南

  据英特尔最新桌面平台规划,英特尔将于2007年第二季度推出支持DDR3内存、产品代号为Bearlake的芯片组产品。英特尔坦言DDR3内存要在2009年才有望成为市场主流。

  英特尔市场供应研究经理Charles Chang于台北IDF会上表示,英特尔已经接收到各大内存厂商的DDR3内存模块,并且都已稳定地运行在英特尔的测试平台上。预测业界将于2007年初正式投产DDR3内存模块,并于年中上市。


Intel台北详解DDR3称其低延迟低功耗
DDR3的高带宽优势

  据Charles Chang指出,DDR3内存模块拥有比DDR2更好的带宽功耗比(Bandwitdh per watt)。对比现有的DDR2-800产品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不单内存带宽大幅提升,功耗表现也比上代更好。

Intel台北详解DDR3称其低延迟低功耗
DDR3与DDR2功耗对比

  但Chalres Chang也坦言在2009年前,DDR3并非主流玩家的配置,市场上仍是以DDR2为主流。Charles Chang引用iSuppli于2006年第三季度做出的DDR3与DDR2出货量和价格预估报告指出,2007年DDR3内存模块出货仅占DDR3与DDR2内存模块市场总和的不足10%,而DDR3内存模块售价平均比DDR2高出约50%。2008年DDR3内存模块出货量将会提升至25%,而售价将会大幅贴近DDR2内存。预计直到2009年市场才会出现两代内存的交替换代。

  不少消费者均被CAS延迟值数值所误导,认为DDR3内存的延迟表现将不及DDR2。但三星电子半导体内存产品规划事业部高级工程师Kim Gyou Joong指出,这是完全错误的观念。事实上,JEDEC规定DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的CL6-6-6,其内存延迟时间均为15ns。

  Kim Gyou Joong指出,CAS Latency是指内存需要经过多少个周期才能开始读写数据。但要计算整个内存模块的延迟值,还需要把内存颗粒的工作频率计算在内。

Intel台北详解DDR3称其低延迟低功耗
DDR3的延迟改进

  目前DDR3-1066、DDR3-1333和DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9,把内存颗粒工作频率计算在内,其内存模块的延迟值应为13.125ns、12ns及11.25ns,相比DDR2内存模块提升了约25%,因此消费者以CAS数值当成内存模块的延迟值是不正确的。

Intel台北详解DDR3称其低延迟低功耗
使用DDR3内存的Bearlake平台在运行3D Mark 06

  根据三星电子内存模块的最新规划,三星将于2007年第二季开始出货桌面电脑DDR3-800/1066产品,第三季推出DDR3-1333,但要在2008年下半年才会推出最高速的DDR3-1600产品。而移动平台则要在2008年第一季才会导入DDR3产品,速度为DDR3-800/1066,在2009年第一季则会提升至DDR3-1333。


爱问(iAsk.com)



硬件论坛】【收藏此页】【 】【多种方式看新闻】【下载点点通】【打印】【关闭




科技时代意见反馈留言板 电话:010-82628888-5595   欢迎批评指正

新浪简介 | About Sina | 广告服务 | 联系我们 | 招聘信息 | 网站律师 | SINA English | 会员注册 | 产品答疑

Copyright © 1996 - 2006 SINA Inc. All Rights Reserved

新浪公司 版权所有